Recursive properties of Dirac and metriplectic Dirac brackets with applications

Title: Recursive properties of Dirac and metriplectic Dirac brackets with applications
Authors: Nguyen, Sonnet Hung Q
Turski, Lukasz A.
Keywords: Constrained dynamical systems;Dirac bracket;Constrained Hamiltonian dynamics;Non-Hamiltonian dynamics;Dissipative dynamics;Metriplectic
Issue Date: 2009
Publisher: ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS
Citation: ISIKNOWLEDGE
Abstract: In this article, we prove that Dirac brackets for Hamiltonian and non-Hamiltonian constrained systems can be derived recursively. We then study the applicability of that formulation in analysis of some interesting physical models. Particular attention is paid to the feasibility of implementation code for Dirac brackets in Computer Algebra System
Description: TNS07506 ; PHYSICA A-STATISTICAL MECHANICS AND ITS APPLICATIONS Volume: 388 Issue: 2-3 Pages: 91-103
URI: http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/30577
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0378437108007826
ISSN: 0378-4371
Appears in Collections:Bài báo của ĐHQGHN trong Web of Science

Nhận xét

Đăng nhận xét

Bài đăng phổ biến từ blog này

Monitoring of extremely low oxygen control atmosphere storage of 'Greenstar' apples using chlorophyll fluorescence

A chlorophyll fluorescence-based technology to monitor low-oxygen stress during controlled atmosphere (CA) storage was tested on apples (Malus domestica Borkh. cv. Greenstar). A static CA regime of 2% oxygen was established in a CA unit for the control fruit. In two other CA units apple fruit were exposed to extremely low oxygen conditions while monitoring the fluorescence signal. The latter spiked when the oxygen level was reduced below 0.2%. The oxygen level was subsequently set to 0.4% in one CA unit and 0.7% in the other. In all CA units the temperature and CO2 levels were maintained at 1.2±0.2°C and 3%, respectively. Instrumental measurements were used to analyze quality attributes of apples at harvest and after 1, 4.5, 7 and 10 months of storage plus 0 day and 7 days of shelf life. Sensory quality was evaluated after 4.5 and 10 months of storage. After 10 months of storage, apples stored in extremely low oxygen controlled atmosphere storage had a better color reten...
Đọc thêm

Phương pháp lượng giác trong bất đẳng thức và bất phương trình đại số : Luận văn ThS. Toán học: 604601

Title:  Phương pháp lượng giác trong bất đẳng thức và bất phương trình đại số : Luận văn ThS. Toán học: 604601 Authors:  Đoàn, Thị Phương Keywords:  Bất đẳng thức (Toán học);Bất phương trình Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học khoa họcTự nhiên Abstract:  Thông thường, một số bất đẳng thức hay bất phương trình đại số phức tạp có thể được đơn giản hóa bằng cách sử dụng phương pháp lượng giác. Đó là nhờ các tính chất đặc thù của hàm lượng giác mà các hàm khác không thể có, như công thức biến đổi tổng thành tích, tích thành tổng, công thức nhân đôi, nhân ba… Khi ta đặt được phép thế khéo thì độ khó của bài toán có thể giảm đi nhiều, ta có thể dễ dàng giải được bài toán. Description:  61 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/61124 Appears in Collections: HUS - Master Theses
Đọc thêm

Mechanism of TCO thin film removal process using near-infrared ns pulse laser Plasma shielding effect on irradiation direction

Title:  Mechanism of TCO thin film removal process using near-infrared ns pulse laser Plasma shielding effect on irradiation direction Authors:  Kim, B. Iida, R. Doan, H.D. Fushinobu, K. Keywords:  Laser ablation;Nanosecond laser scribing;Plasma shielding;Transparent conductive oxide thin film Issue Date:  2016 Publisher:  Elsevier Ltd Citation:  Scopus Abstract:  Substrate side irradiation is widely used for a thin film removal process because high absorption at the film/substrate or film/film interface leads to complete isolation of thin film by single shot irradiation of laser pulse with low energy. However, in the transparent thin film removal process, large thermal expansion or local phase change at the interface cannot be created by substrate side irradiation because of its large optical penetration depth compared to its small thickness. Nevertheless, substrate side irradiation works obviously for single shot film isolation proces...
Đọc thêm