HoangYebPLlic

Title:  Toán tử đạo hàm trên không gian Banach có trọng các hàm chỉnh hình : Luận văn ThS. Toán học: 604601 Authors:  Nguyễn, Phi Minh, Keywords:  Không gian Banach;Toán giải tích Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học khoa họcTự nhiên Abstract:  Không gian có trọng các hàm chỉnh hình và các toán tử xác định trên đó đóng vai trò quan trọng lý thuyết xấp xỉ và lý thuyết phổ, trong giải tích phức và giải tích Fourier, trong phương trình tích chập và phương trình đạo hàm riêng, cũng như trong lý thuyết phân phối và siêu phân phối. Vì vậy chúng được nghiên cứu bởi nhiều nhà toán học và theo nhiều hướng khác nhau. Tuy nhiên, đến năm 2008 mới có nghiên cứu và kết quả của Harutyunyan và Lusky trong về tính bị chặn của toán tử đạo hàm D trên không gian có trọng các hàm chỉnh hình trên hình cầu đơn vị và trên toàn bộ mặt phẳng phức. Dựa trên kết quả của Harutyunyan và Lusky, đã có nhiều bài báo nghiên cứu về các tính chất khác của toán tử đ...

Title:  Phương pháp lượng giác trong bất đẳng thức và bất phương trình đại số : Luận văn ThS. Toán học: 604601 Authors:  Đoàn, Thị Phương Keywords:  Bất đẳng thức (Toán học);Bất phương trình Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học khoa họcTự nhiên Abstract:  Thông thường, một số bất đẳng thức hay bất phương trình đại số phức tạp có thể được đơn giản hóa bằng cách sử dụng phương pháp lượng giác. Đó là nhờ các tính chất đặc thù của hàm lượng giác mà các hàm khác không thể có, như công thức biến đổi tổng thành tích, tích thành tổng, công thức nhân đôi, nhân ba… Khi ta đặt được phép thế khéo thì độ khó của bài toán có thể giảm đi nhiều, ta có thể dễ dàng giải được bài toán. Description:  61 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/61124 Appears in Collections: HUS - Master Theses

Title:  LaSmEr Cation Doping Induced Thermal Properties of SrTiO3 Perovskite Authors:  Rittiruam, M. Seetawan, T. Yokhasing, S., (...) Kumar, M. Han, J.G. Issue Date:  2016 Publisher:  American Chemical Society Citation:  Scopus Abstract:  The La/Sm/Er cations with different radii doping SrTiO3 (STO) as model Sr0.9R0.1TiO3 (R = La, Sm, Er) were designed to investigate structural characteristics and thermal properties by the molecular dynamics simulation with the Green-Kubo relation at 300-2000 K. The structural characteristics were composed of lattice constant, atoms excursion, and pair correlation function (PCF). The thermal properties consisted of heat capacity and thermal conductivity. The lattice constant of R-doped exhibited less than the STO at 300-1100 K and more than STO at 1500-2000 K, which was encouraged by atom excursion and PCF. The thermal properties was compared with literature data at 300-1100 K. In addition, the thermal pro...

Title:  Mechanism of TCO thin film removal process using near-infrared ns pulse laser Plasma shielding effect on irradiation direction Authors:  Kim, B. Iida, R. Doan, H.D. Fushinobu, K. Keywords:  Laser ablation;Nanosecond laser scribing;Plasma shielding;Transparent conductive oxide thin film Issue Date:  2016 Publisher:  Elsevier Ltd Citation:  Scopus Abstract:  Substrate side irradiation is widely used for a thin film removal process because high absorption at the film/substrate or film/film interface leads to complete isolation of thin film by single shot irradiation of laser pulse with low energy. However, in the transparent thin film removal process, large thermal expansion or local phase change at the interface cannot be created by substrate side irradiation because of its large optical penetration depth compared to its small thickness. Nevertheless, substrate side irradiation works obviously for single shot film isolation proces...

Title:  Tác động của khí hậu và thiên tai đối với nông nghiệp Việt Nam, biện phát thích nghi để phát triển bền vững Authors:  Nguyễn, Văn Viết Ngô, Tiền Giang Nguyễn, Anh Tuấn Keywords:  Phát triển bền vững;Nông nghiệp;Thiên tai;Biến đổi khí hậu Issue Date:  2013 Publisher:  H. : ĐHQGHN Description:  10 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/25241 Appears in Collections: Đề tài cấp ĐHQGHN và Quốc gia (LIC)

Nghiên cứu cơ sở lý thuyết về sự phát triển vết nứt trong phá hủy mỏi. Nêu rõ cách đặt bài toán phá hủy mỏi, phương pháp mô phỏng tính toán số, thuật toán và sơ đồ giải của bài toán phá hủy mỏi dưới tác dụng của tải trọng chu kỳ. Nêu ý nghĩa và phương pháp nhập dữ liệu về vật liệu qua tốc độ phát triển vết nứt, tải trọng dưới dạng phổ hoặc ứng suất max min, phương pháp nhập hệ số cường độ ứng suất thực dùng hệ số hoặc hệ số điều chỉnh. Giải bài toán phá hủy mỏi cho nhiều kết cấu dạng dầm, bán vỏ với một số mô hình vật liệu và tải trọng khác nhau có kiểm chứng với bài toán mẫu Thư mục CSDL công trình NCKH ĐHQGHN 2006 - 2010 Nắm được cơ sở lý thuyết phá hủy mỏi, cơ sở mô phỏng số, sử dụng phần mềm Afgrow tính toán sự phát triển vết nứt cho một số bài toán dự báo chu trình lặp tới hạn của tải trọng gây phá hủy 1 bài báo khoa học Báo cáo chi tiết về chuyên đề phá hủy mỏi và phương pháp mô phỏng số Phần mềm Afgrow có hướng dẫn sử dụng và ví dụ minh họa Title:  Mô phỏng số p...

Title:  Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến mức độ ứng dụng công nghệ thông tin trong hoạt động học của sinh viên trường Cao đẳng sư phạm Sóc Trăng Other Titles:  Factors affecting the level of ICT application in learning activities of students Soc Trang Teachers’ Training College Authors:  Huỳnh, Dương Trung Trực Keywords:  Ứng dụng công nghệ thông tin;Giáo dục đại học;Hoạt động học Issue Date:  2014 Publisher:  Đại học quốc gia Hà Nội Citation:  71 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/14123 Appears in Collections: Luận văn - Luận án (LIC)

Title:  Policy Implications for Human Development of Vietnam from the History of HDI Authors:  Nguyen, Van Dai Keywords:  Economics and Business Issue Date:  2014 Publisher:  ĐHKT Abstract:  Since the renovation was introduced in 1986 known as Doi Moi, Vietnam has achieved many great economic successes. The spiritual and material life of the majority of the Vietnamese population has improved over time. Human development process both receives benefits from and affects back upon Doi Moi because of its interactive correlation. The Human Development Index measures the achievement of countries in human development, however, this index varies greatly due to economic development. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/14009 Appears in Collections: Bài đăng tạp chí (LIC)