HoangYebPLlic

Title:  The impact of cracks on photovoltaic power performance Authors:  Dhimish, Mahmoud Holmes, Violeta Mehrdadi, Bruce Dales, Mark Keywords:  Photovoltaic (PV) module performance;Solar cell cracks;Statistical approach;Electroluminescence (EL);Surface analysis Issue Date:  2017 Publisher:  H. : ĐHQGHN Abstract:  This paper demonstrates a statistical analysis approach, which uses T-test and F-test for identifying whether the crack has significant impact on the total amount of power generated by the photovoltaic (PV) modules. Electroluminescence (EL) measurements were performed for scanning possible faults in the examined PV modules. Virtual Instrumentation (VI) LabVIEW software was applied to simulate the theoretical IeV and PeV curves. The approach classified only 60% of cracks that significantly impacted the total amount of power generated by PV modules Description:  p. 199.209 URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/5...

Title:  Thermal resistant efficiency of Nb-doped TiO2 thin film based glass window Authors:  Luu, Manh Quynh Nguyen, Thi Tien Nguyen, Ba Loc Vu, Quang Tho Nguyen, Thi Lan Pham, Van Thanh Nguyen, Minh Hieu Hoang, Ngoc Lam Huong Nguyen, Hoang Luong Keywords:  Nb-doped TiO2;Low IR-transmittance;Glass window;Self-cooling;Transparent conducting thin film Issue Date:  2017 Publisher:  H. : ĐHQGHN Abstract:  The proportional relationship between the infrared (IR) transmittance of a transparent material and its IR-induced heat transfer can be explained via a simple model. The agreement between theory and the experimental work was examined by measuring the temperature rising inside a heat-insulated box with glass windows under IR irradiation, where the material of the glass windows was modified from corning glass (CG) to 9 at% Nb-doped TiO2 (TNO) fabricated by sputtering deposition. The fabricated TNO thin film was mostly transparent in visible region ...

Title:  Hệ thống thủy vân số và ứng dụng thủy vân số trong bảo vệ bản quyền ảnh số: Luận văn ThS. Máy tính: 604801 Authors:  Trần, Thị Tú Uyên Keywords:  An toàn dữ liệu;Ảnh kỹ thuật số Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học Công Nghệ Abstract:  Nghiên cứu hệ thống thủy vân số và các hướng ứng dụng của thủy vân số chủ yếu là ứng dụng trong bảo vệ bản quyền ảnh số.Tập trung vào phân tích các thuật toán thủy vân số. Xây dựng chương trình thử nghiệm cài đặt một số thuật toán thủy vân điển hình nhằm ứng dụng xác thực thông tin và bảo vệ bản quyền cho dữ liệu ảnh số. Description:  69 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/61219 Appears in Collections: UET - Master Theses

Title:  Nghiên cứu thiết kế và chế tạo cảm biến vi hạt trong dòng chảy chất lỏng dựa trên cấu trúc cặp điện dung vi sai đồng phẳng phát hiện dẫn không tiếp xúc: Luận văn ThS. Kỹ thuật điện, điện tử và viễn thông: 605202 Authors:  Nguyễn, Thị Kim Ngân Keywords:  Kỹ thuật điện tử;Cảm biến vi hạt Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học Công Nghệ Abstract:  Luận văn này thực hiện việc nghiên cứu, thiết kế và chế tạo thử nghiệm cảm biến vi hạt trong dòng chảy chất lỏng dựa trên cấu trúc cặp điện dung vi sai đồng phẳng phát hiện dẫn không tiếp xúc. Quy trình chế tạo cảm biến vi hạt cấu trúc cặp điện dung vi sai đồng phẳng được nghiên cứu xây dựng dựa trên công nghệ vi chế tạo. Hệ thống đo đạc thử nghiệm hệ thống kênh dẫn vi lỏng tích hợp cảm biến điện dung cũng đã được xây dựng phục vụ cho việc khảo sát thực nghiệm. Hệ thống được mô phỏng hoạt động sử dụng phương pháp phân tích các phần tử hữu hạn (FEM) dùng COMSOL Multi...

Title:  Thực trạng việc làm của sinh viên sau tốt nghiệp (Nghiên cứu trường hợp Trường Đại học Công nghiệp Quảng Ninh) Authors:  Nguyễn, Thị Diện Keywords:  Việc làm;Xã hội học Issue Date:  2016 Publisher:  H.: ĐHKHXH&NV Description:  110 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/33928 Appears in Collections: Luận văn - Luận án (LIC)

Title:  Quản lý văn bản và tài liệu lưu trữ trong các trường mầm non Authors:  Tào, Thị Duyên Keywords:  Quản lý văn bản;Trường mầm non Issue Date:  2016 Publisher:  H.: ĐHKHXH&NV Description:  125 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/33929 Appears in Collections: Luận văn - Luận án (LIC)

Title:  Pháp luật quyền của người cao tuổi ở Việt Nam hiện nay. : Luận văn ThS. Pháp luật về quyền con người (chuyên ngành đào tạo thí điểm) Authors:  Nguyễn, Thanh Hà Keywords:  Quyền cá nhân;Luật và pháp chế Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Khoa Luật Abstract:  Luận văn làm rõ các vấn đề lý luận, quy định pháp luật về quyền của người cao tuổi theo luật nhân quyền quốc tế và pháp luật Việt Nam. Trên cơ sở đó đề xuất các giải pháp để hoàn thiện hệ thống pháp luật nhằm bảo đảm tốt hơn quyền của người cao tuổi. Description:  83 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/60997 Appears in Collections: LAW - Master Theses

Title:  Tội chế tạo, tàng trữ, vận chuyển, sử dụng, mua bán trái phép hoặc chiếm đoạt vũ khí quân dụng trong luật hình sự Việt Nam (trên cơ sở thực tiễn địa bàn tỉnh Thanh Hóa) : Luận văn ThS. Luật : 603801 Authors:  Nguyễn, Hữu Hùng Keywords:  Vũ khí quân sự;Luật và pháp chế Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Khoa Luật Abstract:  Qua nghiên cứu, phân tích, đánh giá việc áp dụng các quy định của BLHS Việt Nam về các tội về chế tạo, tàng trữ, vận chuyển, sử dụng, mua bán trái phép hoặc chiếm đoạt VKQD cho thấy còn nhiều bất cập. Thực tiễn tình hình tội phạm này có diễn biến hết sức phức tạp, các đối tượng phạm tội ngày càng trở nên liều lĩnh, manh động, sẵn sàng sử dụng VKQD có khả năng sát thương cao để thực hiện tội phạm. Thực trạng này đã gây mất an ninh trật tự, gây hoang mang trong dư luận xã hội. Vì vậy, việc hệ thống hóa lý luận, phân tích, đánh giá thực trạng và đưa ra một số dự báo, kiến nghị nhằm nâng cao hiệu quả áp dụng các quy ...

Title:  Toán tử đạo hàm trên không gian Banach có trọng các hàm chỉnh hình : Luận văn ThS. Toán học: 604601 Authors:  Nguyễn, Phi Minh, Keywords:  Không gian Banach;Toán giải tích Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học khoa họcTự nhiên Abstract:  Không gian có trọng các hàm chỉnh hình và các toán tử xác định trên đó đóng vai trò quan trọng lý thuyết xấp xỉ và lý thuyết phổ, trong giải tích phức và giải tích Fourier, trong phương trình tích chập và phương trình đạo hàm riêng, cũng như trong lý thuyết phân phối và siêu phân phối. Vì vậy chúng được nghiên cứu bởi nhiều nhà toán học và theo nhiều hướng khác nhau. Tuy nhiên, đến năm 2008 mới có nghiên cứu và kết quả của Harutyunyan và Lusky trong về tính bị chặn của toán tử đạo hàm D trên không gian có trọng các hàm chỉnh hình trên hình cầu đơn vị và trên toàn bộ mặt phẳng phức. Dựa trên kết quả của Harutyunyan và Lusky, đã có nhiều bài báo nghiên cứu về các tính chất khác của toán tử đ...

Title:  Phương pháp lượng giác trong bất đẳng thức và bất phương trình đại số : Luận văn ThS. Toán học: 604601 Authors:  Đoàn, Thị Phương Keywords:  Bất đẳng thức (Toán học);Bất phương trình Issue Date:  2017 Publisher:  H.: Trường Đại học khoa họcTự nhiên Abstract:  Thông thường, một số bất đẳng thức hay bất phương trình đại số phức tạp có thể được đơn giản hóa bằng cách sử dụng phương pháp lượng giác. Đó là nhờ các tính chất đặc thù của hàm lượng giác mà các hàm khác không thể có, như công thức biến đổi tổng thành tích, tích thành tổng, công thức nhân đôi, nhân ba… Khi ta đặt được phép thế khéo thì độ khó của bài toán có thể giảm đi nhiều, ta có thể dễ dàng giải được bài toán. Description:  61 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/61124 Appears in Collections: HUS - Master Theses

Title:  LaSmEr Cation Doping Induced Thermal Properties of SrTiO3 Perovskite Authors:  Rittiruam, M. Seetawan, T. Yokhasing, S., (...) Kumar, M. Han, J.G. Issue Date:  2016 Publisher:  American Chemical Society Citation:  Scopus Abstract:  The La/Sm/Er cations with different radii doping SrTiO3 (STO) as model Sr0.9R0.1TiO3 (R = La, Sm, Er) were designed to investigate structural characteristics and thermal properties by the molecular dynamics simulation with the Green-Kubo relation at 300-2000 K. The structural characteristics were composed of lattice constant, atoms excursion, and pair correlation function (PCF). The thermal properties consisted of heat capacity and thermal conductivity. The lattice constant of R-doped exhibited less than the STO at 300-1100 K and more than STO at 1500-2000 K, which was encouraged by atom excursion and PCF. The thermal properties was compared with literature data at 300-1100 K. In addition, the thermal pro...

Title:  Mechanism of TCO thin film removal process using near-infrared ns pulse laser Plasma shielding effect on irradiation direction Authors:  Kim, B. Iida, R. Doan, H.D. Fushinobu, K. Keywords:  Laser ablation;Nanosecond laser scribing;Plasma shielding;Transparent conductive oxide thin film Issue Date:  2016 Publisher:  Elsevier Ltd Citation:  Scopus Abstract:  Substrate side irradiation is widely used for a thin film removal process because high absorption at the film/substrate or film/film interface leads to complete isolation of thin film by single shot irradiation of laser pulse with low energy. However, in the transparent thin film removal process, large thermal expansion or local phase change at the interface cannot be created by substrate side irradiation because of its large optical penetration depth compared to its small thickness. Nevertheless, substrate side irradiation works obviously for single shot film isolation proces...

Title:  Tác động của khí hậu và thiên tai đối với nông nghiệp Việt Nam, biện phát thích nghi để phát triển bền vững Authors:  Nguyễn, Văn Viết Ngô, Tiền Giang Nguyễn, Anh Tuấn Keywords:  Phát triển bền vững;Nông nghiệp;Thiên tai;Biến đổi khí hậu Issue Date:  2013 Publisher:  H. : ĐHQGHN Description:  10 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/25241 Appears in Collections: Đề tài cấp ĐHQGHN và Quốc gia (LIC)

Nghiên cứu cơ sở lý thuyết về sự phát triển vết nứt trong phá hủy mỏi. Nêu rõ cách đặt bài toán phá hủy mỏi, phương pháp mô phỏng tính toán số, thuật toán và sơ đồ giải của bài toán phá hủy mỏi dưới tác dụng của tải trọng chu kỳ. Nêu ý nghĩa và phương pháp nhập dữ liệu về vật liệu qua tốc độ phát triển vết nứt, tải trọng dưới dạng phổ hoặc ứng suất max min, phương pháp nhập hệ số cường độ ứng suất thực dùng hệ số hoặc hệ số điều chỉnh. Giải bài toán phá hủy mỏi cho nhiều kết cấu dạng dầm, bán vỏ với một số mô hình vật liệu và tải trọng khác nhau có kiểm chứng với bài toán mẫu Thư mục CSDL công trình NCKH ĐHQGHN 2006 - 2010 Nắm được cơ sở lý thuyết phá hủy mỏi, cơ sở mô phỏng số, sử dụng phần mềm Afgrow tính toán sự phát triển vết nứt cho một số bài toán dự báo chu trình lặp tới hạn của tải trọng gây phá hủy 1 bài báo khoa học Báo cáo chi tiết về chuyên đề phá hủy mỏi và phương pháp mô phỏng số Phần mềm Afgrow có hướng dẫn sử dụng và ví dụ minh họa Title:  Mô phỏng số p...

Title:  Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến mức độ ứng dụng công nghệ thông tin trong hoạt động học của sinh viên trường Cao đẳng sư phạm Sóc Trăng Other Titles:  Factors affecting the level of ICT application in learning activities of students Soc Trang Teachers’ Training College Authors:  Huỳnh, Dương Trung Trực Keywords:  Ứng dụng công nghệ thông tin;Giáo dục đại học;Hoạt động học Issue Date:  2014 Publisher:  Đại học quốc gia Hà Nội Citation:  71 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/14123 Appears in Collections: Luận văn - Luận án (LIC)

Title:  Policy Implications for Human Development of Vietnam from the History of HDI Authors:  Nguyen, Van Dai Keywords:  Economics and Business Issue Date:  2014 Publisher:  ĐHKT Abstract:  Since the renovation was introduced in 1986 known as Doi Moi, Vietnam has achieved many great economic successes. The spiritual and material life of the majority of the Vietnamese population has improved over time. Human development process both receives benefits from and affects back upon Doi Moi because of its interactive correlation. The Human Development Index measures the achievement of countries in human development, however, this index varies greatly due to economic development. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/14009 Appears in Collections: Bài đăng tạp chí (LIC)

Title:  Các hình phạt bổ sung trong luật hình sự Việt Nam Authors:  Trịnh, Quốc Toản Keywords:  Hình phạt bổ sung;Luật hình sự;Pháp luật Việt Nam Issue Date:  2010 Publisher:  Đại học Quốc gia Hà Nội Citation:  284 tr. URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/16195 Appears in Collections: Luận văn - Luận án (LIC)

Title:  Ứng dụng mô hình Markov – Cellular Automata dự báo biến đổi lớp phủ mặt đất huyện Kiến Thuỵ, thành phố Hải Phòng : Luận văn ThS. Địa chính: 60 44 80 Authors:  Bùi, Quang Thành, người hướng dẫn Phạm, Huy Hoàng Keywords:  Địa chính;Lớp phủ mặt đất;Mô hình Markov;Viễn thám Issue Date:  2013 Publisher:  ĐHKHTN Abstract:  90 tr. + CD-ROM Luận văn ThS. Địa chính -- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên. Đại học Quốc gia Hà Nội, 2013 Tổng quan cơ sở lý luận về nghiên cứu biến đổi lớp phủ mặt đất với sự trợ giúp của mô hình Markov - CA, viễn thám và GIS. Tìm hiểu tình hình ứng dụng công nghệ viễn thám trong nghiên cứu lớp phủ ở Việt Nam nói chung và Hải Phòng nói riêng. Xử lý ảnh và thà (...) Electronic Resources URI:  http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/39766 Appears in Collections: HUS - Master Theses

Title:  Hydrogen storage characteristics of Ti- and V- based thin films Authors:  Z. Tarnawski N.-T.H. Kim-Ngan Keywords:  Titanium;Vanadium oxides;Titanium oxides;Thinfilms;Hydrogen storage;Hydrogen profile;NRA Issue Date:  2016 Publisher:  ĐHQGHN Abstract:  Series of thin films of single-, bi- and tri-layered structure consisting of Ti, V, TiO2 and V2O5 layer and/or mixed Ti- V- Ni layer with different layer sequences and thicknesses were prepared by the sputtering technique on Si and SiO2 substrates. The layer chemical composition and thickness were determined by a combined analysis of X-ray diffraction, X-ray reflectometry, Rutherford backscattering and optical reflectivity spectra. Thefilms were hydrogenated at 1 bar at 300 C and/or at high pressures up to 100 bar at room temperature. The hydrogen concentration and hydrogen profile was determined by means of a secondary ion mass spectroscopy and N-15 Nuclear Reaction Analysis. The highes...

Title:  Low- temperature PZT thin-film ferroelectric memories fabricated on SiO2/Si and glass substrates Authors:  D.H. Minh N.V. Lo N.H. Duc B.N.Q. Trinh Keywords:  PZT;Thin-film transistor;Ferroelectric;Sol-gel;ITO Issue Date:  2016 Publisher:  ĐHQGHN Abstract:  In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZTfilms crystallized at 450, 500 and 550 C, instead of at conventional high temperatures ( 600 C). Investigation of the crystalline structure and electrical properties indicated that the PZTfilm, crystallized at 500 C, was suitable for FGT fabrication because of a high (111) orien-tation, large remnant polarization of 38 aC/cm 2 on SiO2/Si substrate and 17.8 aC/cm 2 on glass, and low leakage current of 10- 6A/cm 2 . In sequence, we successfully fabrica...